Полный текст доклада доступен по ссылке.
Текст статьи, опубликованный в сборнике (скачать).
МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЛЬТ-АМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК LDD MOS ТРАНЗИСТОРА ПРИ КРИОГЕННОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ
Автор: [email protected] - Опубликовано 2020-10-01 14:02 - (438 Прочтений)DOI: 10.51932/9785907271739_390
Д.М. Медведев, А.А. Малаханов
(г. Брянск, Брянский государственный технический университет)
Представлены результаты моделирования вольт-амперных характеристик LDD MOS транзистора при криогенной температуре в приборно-технологической САПР Synopsys Sentaurus TCAD.
The results of modeling of the current-voltage characteristics of LDD MOS transistor at cryogenic temperature in the device-technological design system Synopsys Sentaurus TCAD was presented.
Ключевые слова: LDD MOS транзистор, моделирование, вольт-амперная характеристика, криогенная температура.
Keywords: LDD MOS transistor, modeling, the current-voltage characteristic, cryogenic temperature.
;){kind=link}