АНАЛИЗ СПОСОБОВ ОПРЕДЕЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ИМПУЛЬСНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ НАПРЯЖЕНИЯ

Л.А. Потапов, А.Н. Школин
(г. Брянск, Брянский государственный технический университет)

Показано, что тепловое сопротивление переход-корпус определяется через частичный тепловой поток и является некоторой характеристикой крепления кристалла в корпусе высокочастотных импульсных преобразователей напряжения (ВИПН). Измерить это сопротивление при серийном производстве практически невозможно из-за высокой трудоемкости и низкой точности, хотя в справочных данных (data sheet) для каждой ИМС это сопротивление указывается. Для исключения возможности появления скрытых дефектов, не обнаруживаемых при контроле электрических параметров, предлагается использовать стопроцентный контроль тепловых параметров способом сравнения с эталоном.
Переходную тепловую характеристику (ПТХ) можно определить экспериментально для конкретной ИМС и конкретных условий охлаждения. После аппроксимации ее экспонентами можно построить теплоэлектрическую модель и с ее помощью исследовать изменение температуры кристалла ИМС при изменении различных параметров (напряжения питания, мощности нагрузки и др.).

It is shown that the thermal resistance of the junction-case is determined through a partial heat flux and is some characteristic of the crystal fastening in the case of high-frequency pulse voltage converters. It is practically impossible to measure this resistance in mass production because of the high complexity and low accuracy, although this resistance is indicated in the reference data sheet for each IC. To exclude the possibility of hidden defects that are not detected during the control of electrical parameters, it is proposed to use one hundred percent control of thermal parameters by way of comparison with a standard.
The transient thermal characteristic can be determined experimentally for a specific IC and specific cooling conditions. After approximation by its exponents, it is possible to construct a thermoelectric model and use it to study the change in the temperature of the IC chip with changing various parameters (supply voltage, load power, etc.).

Ключевые слова: тепловое сопротивление, импульсные преобразователи напряжения, микросхемы, схемы Фостера.
Keywords: thermal resistance, pulse voltage converters, microcircuits, Foster circuits.