МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА ШОТТКИ
Автор: [email protected] - Опубликовано 2021-10-13 22:03 - (688 Прочтений)Дмитрий Михайлович Медведев
(Брянский государственный технический университет, доцент каф. ЭРЭиЭС,
доцент, канд. техн. наук, Россия, г. Брянск, dm17rj в yandex.ru)
Алексей Алексеевич Малаханов
(Брянский государственный технический университет, зав. каф. ЭРЭиЭС,
доцент, канд. техн. наук, Россия, г. Брянск, malakhan в yandex.ru)
Представлены результаты моделирования высоковольтного кремниевого диода Шоттки в приборно-технологической САПР Synopsys Sentaurus TCAD.
The results of modeling of the high-voltage silicon Schottky diode in the device-technological design system Synopsys Sentaurus TCAD was presented.
Ключевые слова: диод Шоттки, кремний, моделирование.
Keywords: Schottky diode, silicon, modeling.
Тезисы доклада доступны по ссылке.
;){kind=link}