СОЗДАНИЕ МОДЕЛИ НЕЛИНЕЙНОЙ ЕМКОСТИ МОП-ТРАНЗИСТОРА

УДК 621.314
С.А. Амелин, к.т.н., доц.; М.А. Амелина, к.т.н., доц.
(г. Смоленск, филиал ФГБОУ ВО «НИУ «МЭИ» в г. Смоленске)
Sergey Amelin, associate professor; Marina Amelina, associate professor
(Smolensk. Smolensk Branch of the National Research University
«Moscow Power Engineering Institute»)
СОЗДАНИЕ МОДЕЛИ НЕЛИНЕЙНОЙ ЕМКОСТИ
МОП-ТРАНЗИСТОРА
CREATING MOSFET NONLINEAR CAPACITANCE MODEL
Рассмотрены проблемы создания модели нелинейной емкости затвор сток МОП-транзистора, предложена схема измерения этой емкости в области отрицательных напряжений сток-затвор, построена зависимость емкости затвор-сток от напряжения для транзистора IRF540N и предложена аппроксимирующая функция, которую можно использовать при создании модели МОП-транзистора.
The problems of model creating for nonlinear gate-drain capacitance of MOSFET are considered. A circuit is proposed for measuring this capacitance in the region of negative drain-gate voltages. The dependence of the gate-drain capacitance on voltage for the IRF540N transistor is constructed and an approximating function that can be used to create a model of a MOS-transistor is proposed.
Ключевые слова: МОП-транзистор, емкость затвор-сток, измерительный RLC-мост, экспоненциальная функция.
Keywords: MOSFET, gate-drain capacitance, measuring RLC bridge, exponential function.